Chi tiết sản phẩm
Nguồn gốc: Jiangsu, Trung Quốc
Hàng hiệu: SZHUASHI
Số mô hình: YP40601625T
Điều khoản thanh toán và vận chuyển
Giá bán: Prices are negotiable
chi tiết đóng gói: hộp
Thời gian giao hàng: 2-10 ngày
Ứng dụng: |
4000 đến 6000MHz |
Loại: |
Bộ khuếch đại công suất |
Dòng: |
PA |
Đặc điểm: |
Tiêu chuẩn |
Loại lắp đặt: |
Cài đặt trực tiếp |
Mô tả: |
Bộ khuếch đại công suất tiêu chuẩn |
Mã ngày sản xuất: |
Các loại khác |
tần số làm việc: |
4000 đến 6000MHz |
bĩu môi: |
30W |
Điện áp: |
50V |
Ứng dụng: |
4000 đến 6000MHz |
Loại: |
Bộ khuếch đại công suất |
Dòng: |
PA |
Đặc điểm: |
Tiêu chuẩn |
Loại lắp đặt: |
Cài đặt trực tiếp |
Mô tả: |
Bộ khuếch đại công suất tiêu chuẩn |
Mã ngày sản xuất: |
Các loại khác |
tần số làm việc: |
4000 đến 6000MHz |
bĩu môi: |
30W |
Điện áp: |
50V |
SZHUASHI 100% YP40601625T mới 30W 50V 5700- 5900MHz PA Lượng tăng cường RF Power Transistor với các tính năng tiêu chuẩn
YP40601625T là một GaN HEMT 30 watt, phù hợp bên trong, được thiết kế cho nhiều ứng dụng với tần số 4000 đến 6000MHz, đặc biệt là 5700- 5900MHz.Hiệu suất được đảm bảo cho các ứng dụng hoạt động trong tần số được đề cập. Không có đảm bảo hiệu suất khi phần này được sử dụng trong các ứng dụng được thiết kế bên ngoài tần số này.Hiệu suất điển hình (trên thiết bị sáng): VDD = 50 Volt, IDQ = 110 mA, CW, Psat> 30W
| Đồ đẻ | 30W |
| Tần số | 4000MHz -6000MHz |
| Điện áp | 50V |
Ứng dụng và đặc điểm
Lưu ý quan trọng: Chuỗi Biasing thích hợp cho GaN HEMT Transistors
Bật thiết bị ON
1. Đặt VGS vào điện áp tắt (VP), thường là ₹5 V
2.Tập VDS vào điện áp cấp số (50 V)
3.Tăng VGS cho đến khi đạt được dòng IDS
4Áp dụng sức mạnh đầu vào RF đến mức mong muốn
Tắt thiết bị
1- Tắt nguồn RF.
2.Giảm VGS xuống VP, thông thường 5 V
3. Giảm VDS xuống 0 V 4. Tắt VGS
Luôn kiểm tra cuối cùng trước khi vận chuyển;
1 năm bảo hành cho sản phẩm của chúng tôi.
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
Băng hình
